[发明专利]一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911378546.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053738A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张雪;李雪梅;桑雨果 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一半导体衬底；2)利用第一掩膜板形成多个沟槽，并形成第一氧化层，于沟槽内沉积源极多晶硅；3)利用第二掩膜板定义出有源区和终端区，并于终端区的半导体衬底表面沉积光阻层，刻蚀所述第一氧化层，于沟槽中形成开口，去除所述光阻层以及第一氧化层；4)于开口形成第二氧化层，并沉积栅极多晶硅；5)于半导体衬底中形成体区，并利用第三掩膜板形成源区；6)沉积介质层，并利用第四掩膜板形成电极接触孔；7)沉积金属层，利用第五掩膜板分离源极电极和终端电极。本发明的提供的分裂栅型沟槽MOS器件的制备方法，通过节省光刻制程，简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 沟槽 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润微电子（重庆）有限公司，未经华润微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911378546.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
