[发明专利]高压元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911377939.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN112447829A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;杨大勇;翁武得;陈建馀;游焜煌;熊志文;邱国卿;张钧隆 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：半导体层、漂移氧化区、阱区、本体区、栅极、至少一子栅极以及源极与漏极。其中，漂移氧化区位于操作区中的漂移区上。子栅极形成于漂移氧化区上的漂移区正上方，且子栅极与栅极平行排列。栅极的导电层具有第一导电型，且子栅极的导电层具有第二导电型或为一本征半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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