[发明专利]一种纳米双晶层的制备方法和一种纳米双晶层在审

专利信息
申请号: 201911377579.2 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN113046796A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 王玮婷;冯宪平;黄榆婷;程圣杰;钟志君 申请(专利权)人: 铂识科技股份有限公司
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 11234 代理人: 曾海艳
地址: 中国台湾台中市大*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 揭露一种纳米双晶层及其制备方法。纳米双晶层的制备方法包含:利用包含铜的盐化物、酸以及水溶性或醇溶性有机添加剂的电解液,在电流密度为20~100mA/cm2,槽电压为0.2~1.0V,且阴极与阳极距离为10~300mm的条件下,以电解沉积技术在阴极的表面上沉积纳米双晶层。该制备方法得到的纳米双晶层包含复数纳米双晶铜晶粒,复数纳米双晶铜晶粒中至少部分具有上宽下窄的支柱帽形状,且部分相邻的复数纳米双晶铜晶粒之间具有不规则晶相区域。
搜索关键词: 一种 纳米 双晶 制备 方法
【主权项】:
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