[发明专利]一种纳米双晶层的制备方法和一种纳米双晶层

权利要求书

1.一种纳米双晶层的制备方法，该制备方法包含：

利用包含铜的盐化物、酸以及水溶性或醇溶性有机添加剂的电解液，在电流密度为20～100mA/cm²，槽电压为0.2～1.0V，且阴极与阳极距离为10～300mm的条件下，以电解沉积技术在该阴极的一表面上沉积纳米双晶层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中该水溶性或醇溶性有机添加剂选自于由地塞米松、皮质醇、淀粉、阿拉伯胶、葡萄糖、果糖、半乳糖、多糖、蔗糖、麦芽糖、乳糖、寡糖、纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羧丙基纤维素、甲基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、乙基纤维素、丙基纤维素、果胶、甘油醛、二羟丙酮、甘油、几丁质、半纤维素、木糖、阿拉伯糖、甘露糖、木质素、聚氧乙烯、聚乙烯亚胺、聚氧二甲苯、聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚磺酸苯乙烯、二甲基二辛基溴化铵、聚丙二醇、聚四氢呋喃、聚苯乙烯磺酸钠、乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸钠、二癸基二甲基氯化铵、双十二烷基二甲基氯化铵、双十四烷基二甲基溴化铵、双十六烷基二甲基溴化铵、双十八烷基二甲基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基氯化铵、十二烷基苯基二甲基氯化铵及其混合所组成的群组。

3.如权利要求1所述的制备方法，其中该电解液中的所述酸为硫酸、盐酸、磷酸、甲基磺酸、磺酸或其混合。

4.如权利要求1所述的制备方法，其中该表面为硅晶片、钛片、铁片、镍片、纯铜片或表面具有(111)晶体方向的基底的表面。

5.如权利要求1所述的制备方法，其中所述包含铜的盐化物为硫酸铜，且该电解液的浓度为0.3mol/L以上。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中该水溶性或醇溶性有机添加剂的含量为0.0001g/L以上。

7.如权利要求6所述的制备方法，其中该水溶性或醇溶性有机添加剂的含量为0.0001g/L至0.1g/L。

8.如权利要求1至7任一项所述的制备方法，其中该纳米双晶层的制备方法应用于穿硅通孔、半导体晶片的内连线、封装基板的引脚通孔、金属导线、或基板线路的制备。

9.一种纳米双晶层，该纳米双晶层由如权利要求1至7任一项所述的制备方法制备，其中该纳米双晶层包含复数纳米双晶铜晶粒，该复数纳米双晶铜晶粒中至少部分具有上宽下窄的支柱帽形状，且部分相邻的该复数纳米双晶铜晶粒之间具有不规则晶相区域。

10.如权利要求9所述的纳米双晶层，其中该不规则晶相区域参杂有不同角度倾向的纳米双晶铜、多晶铜或其组合。

11.如权利要求9所述的纳米双晶层，其中该复数纳米双晶铜晶粒以桁架结构配置。

12.如权利要求9所述的纳米双晶层，其中该纳米双晶层的层片厚度为5～500纳米。

13.如权利要求9所述的纳米双晶层，其中该纳米双晶铜晶粒具有(111)方向的特征峰。

14.如权利要求9至13任一项所述的纳米双晶层，其中该纳米双晶层应用于穿硅通孔、半导体晶片的内连线、封装基板的引脚通孔、金属导线、或基板线路的制备。