[发明专利]离子注入机清洁方法有效
| 申请号： | 201911375758.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111081516B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 曹志伟;郑刚;马富林 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及离子注入工艺中的离子注入机清洁方法。包括：确定离子注入过程中的在前离子源种类和待转换离子源种类；施加电场，根据在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得第一处理气体电离形成第一处理离子束；使得第一处理离子束对离子注入机的反应室进行第一阶段清洁处理；根据待转换离子源种类，向离子注入机中通入第二处理气体，使得第二处理气体电离形成第二处理离子束；使得第二处理离子束照射离子注入机的反应室和管路，对离子注入机的反应室和管路进行第二阶段清洁处理。本发明根据离子源种类，向离子注入机中通入不同的清洁气体，可以解决相关技术难以适应各种离子注入过程中的清洁需求问题。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 清洁 方法 | ||
【主权项】：
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