[发明专利]一种高纯度银纳米线及其制备方法和银纳米线导电薄膜在审
| 申请号： | 201911367217.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111014719A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 曹国俊;杨宁宁;王成 | 申请（专利权）人： | 海泰纳鑫科技（成都）有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00;B01D36/00;B05D5/12;B05D7/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 610207 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度银纳米线的制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备银纳米线合成液；步骤2：所得银纳米线合成液与溶剂搅拌均匀后，离心得银纳米线沉淀；步骤3：将所得银纳米线沉淀与分散溶液搅拌均匀后，通过多级过滤装置分离纯化得银纳米线。该方法将高速离心和逐级过滤相结合，分离过程简单高效且安全环保，分离所得的银纳米线纯度高，直径分布范围较窄，且分散性好不易团聚。涂布成银纳米线导电薄膜后具有高透光率、低雾度和方阻低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 纳米 及其 制备 方法 导电 薄膜 | ||
【主权项】：
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