[发明专利]一种高纯度银纳米线及其制备方法和银纳米线导电薄膜在审
申请号: | 201911367217.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111014719A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 曹国俊;杨宁宁;王成 | 申请(专利权)人: | 海泰纳鑫科技(成都)有限公司 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;B01D36/00;B05D5/12;B05D7/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 610207 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 纳米 及其 制备 方法 导电 薄膜 | ||
1.一种高纯度银纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:在乙二醇中依次加入溴化钾、氯化钾、六水合三氯化铁和聚乙烯吡咯烷酮,加热至150℃-180℃保温30-50min,加入AgNO3,反应5-6h后自然冷却至室温得银纳米线合成液;
步骤2:将步骤1所得银纳米线合成液与溶剂搅拌均匀后,离心得银纳米线沉淀;
步骤3:将步骤2所得银纳米线沉淀与分散溶液搅拌均匀后,通过多级过滤装置分离纯化得银纳米线。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,溴化钾、氯化钾、六水合三氯化铁、聚乙烯吡咯烷酮和AgNO3的质量比为(0.002-0.02):(0.003-0.03):(0.0001-0.002):(1-4):1。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2中,所述银纳米线合成液与所述离心溶剂的体积比为(1-10):(10-100),所述溶剂为水、乙醇或异丙醇的一种或任意比例混合;离心转速500-8000rpm/min,离心时间0.2-5h。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,所述分散溶液与步骤2中所述银纳米线合成液的体积比为(1-10):1;
所述分散溶液包括分散溶剂和添加剂,所述添加剂的质量为溶剂质量的0.05%-2%;其中,所述分散溶剂为水、乙醇或异丙醇的一种或任意比例混合物;所述添加剂为羟丙基纤维素、十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或任意比例混合。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,所述多级过滤装置为2-8级过滤装置,每一级过滤装置中设置有1-10层100-2000目滤网。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,所述多级过滤装置的过滤速度为0.1-10L/min,过滤压力为0-1MPa,过滤循环次数为2-20次。
7.多级过滤装置在银纳米线分离纯化中的应用。
8.应用权利要求1-6任一项所述的制备方法得到的银纳米线。
9.一种银纳米线导电薄膜,其特征在于,包括柔性基底和涂覆在所述柔性基底上的如权利要求8所述的银纳米线形成的薄膜。
10.如权利要求9所述的银纳米线导电薄膜,其特征在于,透光率为93.5%-95.5%,雾度为0.58%-0.65%,方阻为29-45Ω/sq。
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