[发明专利]一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间带半导体的方法在审
| 申请号： | 201911364797.2 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN113046829A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 武莉莉;韩利鹏;刘才 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种杂质中间带卤化物钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用。该制备方法可以在卤化物钙钛矿单晶材料的禁带中引入一个新的杂质能带，通过能带结构的调控，在不改变其带隙大小的情况下大幅拓宽其光响应范围。本方法制备的杂质中间带卤化物钙钛矿单晶材料具有光谱响应范围可调，制备简单，成本低廉等优点，在光电探测器、发光二极管、光催化等领域有巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 诱导 卤化物 钙钛矿单晶 成为 杂质 中间 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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