[发明专利]一种太阳能单晶PERC制备的多层SiNx

摘要

本发明涉及一种太阳能单晶PERC制备的多层SiNx背膜工艺方法。所述方法包括如下步骤：(1)将反应体系抽真空，采用SiH4和NH3对硅片背面进行预淀积镀膜，得到预淀积处理后的硅片；(2)采用SiH4和NH3对所述预淀积处理后的硅片进行镀膜沉积；(3)重复进行步骤(1)‑(2)n次，所述n≥1，得到太阳能电池片。本发明中采用多层SiNx背镀膜的方法可得到很好的钝化效果，从而提高单晶电池转换效率；本发明使用多层减反射膜镀膜后，对于镀膜后膜面更均匀。本发明处理对象可以为砂浆硅片也可以是金刚线硅片，适用范围广。