[发明专利]一种太阳能单晶PERC制备的多层SiNx 有效
| 申请号： | 201911359538.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029414B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 雷丽茶;赵颖;厉文斌 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 perc 制备 多层 sin base sub | ||
1.一种太阳能单晶PERC制备的多层SiNx背膜工艺方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将反应体系抽真空，采用SiH4和NH3对硅片背面进行预淀积镀膜，得到预淀积处理后的硅片；
(2)采用SiH4和NH3对所述预淀积处理后的硅片进行镀膜沉积；
(3)重复进行步骤(1)-(2)2次，所述SiH4和NH3的流量比梯度变化，得到太阳能电池片；
其中，所述梯度变化的幅度为：
第一次预淀积镀膜和镀膜沉积过程中，SiH4和NH3的流量比各自独立的选择1:(14～15)；
第二次预淀积镀膜和镀膜沉积过程中，SiH4和NH3的流量比各自独立的选择1:(12～13)；
第三次预淀积镀膜和镀膜沉积过程中，SiH4和NH3的流量比各自独立的选择1:(9～11)。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述预淀积镀膜的温度为420～490℃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述预淀积镀膜的时间为10～25s。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述反应体系的真空度的控制为：PD305机台80mTorr。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述硅片背面沉积有Al2O3钝化膜。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述镀膜沉积的温度为420～490℃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述镀膜沉积的时间为80～700s。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述太阳能单晶PERC制备的多层SiNx背膜工艺方法的总镀膜时间为800～1000s。
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