[发明专利]一种光电半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电半导体器件及其制备方法，其要点是，包括以下工艺步骤：1)提供衬底，在衬底上依次生长底电池、第一隧道结、中间电池、第二隧道结、子电池、第三隧道结、顶电池；2)在顶电池上沉积多晶硅层，多晶硅层的厚度为550～600nm，并采用POCl对多晶硅层进行掺杂；3)在多晶硅上涂布光刻胶，并选择性掩蔽和腐蚀光刻胶，在多晶硅层上形成刻蚀窗口，腐蚀刻蚀窗口，露出刻蚀窗口底部相对应的顶电池，从而在多晶硅层上得到凹槽；4)对凹槽内进行等离子体反应刻蚀，在凹槽底部的顶电池上得到凹凸不平的表面。本发明提高了吸收面的接收光密度，降低了芯片尺寸，提高了芯片集成度。