[发明专利]单晶压电结构及其制造方法、单晶压电层叠结构的电子设备在审
| 申请号： | 201911356766.2 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111146327A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;庞慰;杨清瑞 | 申请（专利权）人： | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/083;H01L41/277;H01L41/293;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300462 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶压电结构及其制造方法，及单晶压电层叠结构，以及电子设备。单晶压电结构包括：层叠结构，包括在单晶压电结构的厚度方向上层叠设置的多个压电层与多个电极，每个压电层为单晶压电层，每个压电层的上下两侧设置有电极，每个压电层及其上下两侧的电极构成薄膜结构，每个薄膜结构具有上、下电极层以及位于上、下电极层之间的压电层；基底，层叠结构设置于基底；声学镜，其中：在厚度方向上，位于上层的薄膜结构中的至少一层的面积不大于位于下层的薄膜结构中的对应层的面积，和/或位于上层的薄膜结构作为整体的面积不大于位于下层的薄膜结构作为整体的面积，和/或每一个薄膜结构中上电极层的面积≤压电层的面积≤下电极层的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 结构 及其 制造 方法 层叠 电子设备 | ||
【主权项】：
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