[发明专利]一种基于双隧穿化合物的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池在审
申请号: | 201911354920.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN113035968A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 徐敬超;张文君;石磊 | 申请(专利权)人: | 杭州众能光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/028;H01L51/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于双隧穿化合物的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池,包括栅线、减反射层、第一透明导电氧化物、n型微晶硅或非晶硅(p型微晶硅或非晶硅)、第一隧穿化合物、N或P型单晶硅片、第二隧穿化合物、p型微晶硅或非晶硅(n型微晶硅或非晶硅)、第二透明导电氧化物、电子传输层(空穴传输层)、钙钛矿吸光层、空穴传输层(电子传输层)、第三透明导电氧化物、减反射层和栅线。本发明直接在N或P型单晶硅片双面形成隧穿化合物选择性接触,钝化效果显著,工艺简单,成本低廉。另外,这种基于双隧穿化合物的晶硅底部电池与钙钛矿顶部电池能够轻易地实现更好的电流匹配,界面电荷传输更畅通,同时实现了高转换效率和高稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 双隧穿 化合物 钙钛矿 晶硅叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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