[发明专利]一种基于双隧穿化合物的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201911354920.2 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN113035968A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 徐敬超;张文君;石磊 申请(专利权)人: 杭州众能光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/028;H01L51/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于双隧穿化合物的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池,包括栅线、减反射层、第一透明导电氧化物、n型微晶硅或非晶硅(p型微晶硅或非晶硅)、第一隧穿化合物、N或P型单晶硅片、第二隧穿化合物、p型微晶硅或非晶硅(n型微晶硅或非晶硅)、第二透明导电氧化物、电子传输层(空穴传输层)、钙钛矿吸光层、空穴传输层(电子传输层)、第三透明导电氧化物、减反射层和栅线。本发明直接在N或P型单晶硅片双面形成隧穿化合物选择性接触,钝化效果显著,工艺简单,成本低廉。另外,这种基于双隧穿化合物的晶硅底部电池与钙钛矿顶部电池能够轻易地实现更好的电流匹配,界面电荷传输更畅通,同时实现了高转换效率和高稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 双隧穿 化合物 钙钛矿 晶硅叠层 太阳能电池
【主权项】:
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