[发明专利]一种用于测量多发光峰半导体材料中载流子多重寿命的方法在审
| 申请号： | 201911352634.2 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111257713A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李双阳;王静;李斌成;孙启明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于测量多发光峰半导体材料中载流子多重寿命的方法，其中：测试系统由光载流子辐射测量系统和光致发光光谱测量系统综合组成；一束光子能量大于待测半导体禁带宽度的并以方波信号调制的激光作为激励光，经透镜聚焦照射到待测半导体材料表面，激发出相同周期的光致发光信号；在该方法中通过改变激励光频率和探测波长，得到不同条件下光致发光信号的幅值及相位与激励频率的关系，再通过建立信号与寿命相关的物理模型，经数据拟合计算得出载流子的有效寿命和多重寿命分量；通过综合分析不同实验条件下的测量结果，分析得到更准确地载流子多重寿命分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测量 多发 半导体材料 载流子 多重 寿命 方法 | ||
【主权项】：
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