[发明专利]一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构有效
| 申请号： | 201911348030.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111599858B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘航志;邓雯娟 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，该改进型半导体结构包括：与阳极欧姆电极接触的P型注入层，与P型注入层上表面接触的N缓冲层，与N缓冲层上表面接触的N‑漂移层，与N‑漂移层上表面接触的电流扩展层；其中，N‑漂移层掺杂浓度目前为目前高压碳化硅器件耐压层典型浓度的1.2～4倍；将N缓冲层分为多个区域，其浓度由P+注入层至N‑漂移层方向递增。针对现有技术中SiC IGBT的dv/dt，di/dt噪音较强的问题，本发明提供的半导体结构将能够将关断瞬态过程中的耗尽区限制在漂移层内，有效避免了穿通效应的产生，从而大幅度地抑制dv/dt，di/dt噪音的产生，同时能够稳定功率损耗在合理的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 dv dt di 噪音 产生 高压 sic igbt 结构 | ||
【主权项】：
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