[发明专利]一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构有效
| 申请号： | 201911348030.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111599858B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘航志;邓雯娟 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 dv dt di 噪音 产生 高压 sic igbt 结构 | ||
1.一种抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiCIGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构从阳极欧姆电极至阴极欧姆电极依次设置P型注入层，N缓冲层，N-漂移层，电流扩展层，将N-漂移层浓度提高至目前典型高压碳化硅器件典型值的1.2至4倍，即2.4-8e14cm-2；所述高压SiC IGBT结构中的N缓冲层分纵向为多个区域，掺杂浓度由P+注入层至N-漂移层方向递增。
2.如权利要求1所述的抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构N-漂移层的掺杂浓度所对应的穿通电压数值接近IGBT的工作电压水平。
3.如权利要求2所述的抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构N-漂移层的掺杂浓度所对应的穿通电压数值等于或高于IGBT的工作电压水平。
4.如权利要求1所述的抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构中的多个N缓冲层区域掺杂浓度高于N-漂移层掺杂浓度。
5.如权利要求4所述的抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构中的多个N缓冲层区域掺杂浓度均不低于N-漂移层掺杂浓度。
6.如权利要求5所述的抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，其特征在于，所述高压SiC IGBT结构中N缓冲层与P+注入层上表面相接触区域掺杂浓度不低于的N-漂移层掺杂浓度的20倍，与N-漂移层下表面相接触的区域掺杂浓度不高于P+注入层的掺杂浓度。
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