[发明专利]一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911334848.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111048584B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 周德金;冯黎;李晓茜;张卫;卢红亮;黄伟 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/10;H01L23/64;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线R |
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| 搜索关键词： | 一种 线性 氮化 hbt 射频 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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