[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201911317831.0 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113013327A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韦承宏;尤建祥;陈宏生 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包括形成于基板上的第一介电层，以及两个存储器单元。此两个存储器单元包括两个彼此分离的底电极结构，分别填满位于第一介电层中的两个沟槽。此两个存储器单元亦包括电阻转态层以及顶电极结构。电阻转态层顺应性地形成于位于第一介电层中的开口的表面，且此开口位于两个沟槽之间。顶电极结构位于电阻转态层上且填满开口。第一介电层的顶表面、底电极结构的顶表面、电阻转态层的顶表面与顶电极结构的顶表面实质上共平面。本发明可大幅增加存储器单元的密度，从而可有利于电阻式随机存取存储器的微小化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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