[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911312979.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993034A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;卢丽;肖魁;林峰;叶然;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；漂移区，设于所述衬底上；漏极区，设于所述漂移区中；体区，设于所述衬底上；源极区，设于所述体区中；平面栅结构，设于所述体区上；槽栅结构，从所述体区的顶部向下方延伸；体轻掺杂区，设于所述体区中且紧贴所述槽栅结构的侧壁设置，所述体轻掺杂区的掺杂浓度小于周围的体区的掺杂浓度、且与所述体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致。本发明通过设置与体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致的体轻掺杂区，从而使平面栅的阈值电压与槽栅的阈值电压趋于一致。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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