[发明专利]光刻机对位方法有效
| 申请号： | 201911308814.0 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111007703B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;吴长明;姚振海;金乐群;黄发彬 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻机对位方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度；解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对位 方法 | ||
【主权项】：
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