[发明专利]光刻机对位方法

说明书

本申请公开了一种光刻机对位方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度；解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻机对位方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过很多次光刻，在光刻时需要进行对位。ASML光刻机的对位系统包括ATHENA(Advanced Technology using Highorder Enhancement of Alignment，利用高阶光增强对位技术)系统和SMASH(SmartAlignment Sensor Hybrid，混合型智能对位传感器)系统等。对位过程可以包括预对位、粗对位、精对位。

SMASH系统相较于ATHENA系统，有几点重要改进：对位光源数量增加，在红光、绿光的基础上新增近红外光和远红外光；光斑的尺寸大幅减小，可以达到40um；衍射光接收路径和探测器从分离变为合并。这些改进都增加了SMASH系统进行粗对位的难度，当晶圆上的对位标记受损和/或偏移时，容易错选最佳扫描路径，导致晶圆次品。

发明内容

本申请提供了一种光刻机对位方法，可以解决相关技术中容易错选最佳扫描路径，导致晶圆次品的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻机对位方法，该方法包括：

利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图，强度位置相关性图根据对位标记信号强度和对位标记位置确定；

根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；

根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；

将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；

其中，评估值按如下公式计算：

评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度。

可选的，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；

利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记；

在每次扫描时，获取每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度；

根据每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度，确定每条扫描路径对应的强度位置相关性图，强度位置相关性图的横坐标为对位标记位置，强度位置相关性图的纵坐标为标记信号强度。

可选的，根据强度位置关系图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，包括：

获取标准强度位置关系图，以及根据标准强度位置关系图和强度位置相关性图的拟合程度，确定每条扫描路径对应的多重相关系数；

根据强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度；特征点左右两侧的点对应的标记信号强度小于特征点的标记信号强度；

其中，标准强度位置关系图包括每个对位标记对应的标准对位标记位置和标准对位信号强度，标准强度位置关系图为锯齿形图形。