[发明专利]一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法在审

专利信息
申请号: 201911306771.2 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN110923667A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 王金淑;王蕊;周帆;梁轩铭;杨韵斐;骆凯捷;李世磊 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/448;C23C16/56
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法,属于薄膜材料的制备技术领域。以表面光滑平整的硅片、银片、FTO玻璃为基底材料,以乙酸镁和乙酸锌作为主要前驱体物,氮气作为载气,在对基底加热的条件下,通过气凝胶化学气相沉积结合高温退火,制备获得MgO/MgO‑ZnO薄膜。采用本发明方法制备次级发射薄膜材料具有制备工艺简单、成本低、掺杂元素和膜厚可控、成分均匀、次级发射系数高、耐电子轰击且发射性能稳定等优点。有望应用于多种光电倍增管、图像增加器、等离子显示器等器件中。
搜索关键词: 一种 次级 电子 发射 薄膜 材料 高效 简易 制备 方法
【主权项】:
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