[发明专利]一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法在审
申请号: | 201911306771.2 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN110923667A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 王金淑;王蕊;周帆;梁轩铭;杨韵斐;骆凯捷;李世磊 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/448;C23C16/56 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法,属于薄膜材料的制备技术领域。以表面光滑平整的硅片、银片、FTO玻璃为基底材料,以乙酸镁和乙酸锌作为主要前驱体物,氮气作为载气,在对基底加热的条件下,通过气凝胶化学气相沉积结合高温退火,制备获得MgO/MgO‑ZnO薄膜。采用本发明方法制备次级发射薄膜材料具有制备工艺简单、成本低、掺杂元素和膜厚可控、成分均匀、次级发射系数高、耐电子轰击且发射性能稳定等优点。有望应用于多种光电倍增管、图像增加器、等离子显示器等器件中。 | ||
搜索关键词: | 一种 次级 电子 发射 薄膜 材料 高效 简易 制备 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的