[发明专利]双面太阳能电池的平滑后侧掺杂层在审
| 申请号： | 201911294280.0 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111430501A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李远东;F·都灵柯西;M·J·瑞卡曼帕育;J·普尔曼斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;沙永生 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种在晶体硅双面太阳能电池的后侧(112)处产生掺杂层的方法，所述方法包括：至少使太阳能电池的硅基材(110)的后侧(114)纹理化以产生棱锥图案(120)，从而产生后侧的棱锥形拓扑结构；通过使用外延生长在棱锥上生长至少一个掺杂的硅外延层(130)，从而在后侧形成(S102‑1)掺杂层，并且在形成掺杂层的同时，通过使用刻面演变，通过至少一个外延层的生长使后侧的棱锥形拓扑结构变平滑，并且其中，外延生长持续直至大部分棱锥的上部上在所述至少一个外延层的表面(134)与基材之间的角度(132)为5°至35°为止。还提供晶体硅双面太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 太阳能电池 平滑 掺杂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
