[发明专利]实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列有效
| 申请号： | 201911279800.0 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111028876B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 窦春萌;刘璟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列，包括：存储单元阵列，每列的各个存储单元间通过各个存储单元的源线和第一位线连通，每行的各个存储单元间通过各个存储单元的第一字线和第二位线连通；读取电路模块，连接至每列的第一位线以及每行的第二位线，实现数据读出。本发明提供的该实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列，通过采用两晶体管一阻变型存储单元的结构并添加正交位线(transpose bit‑line，TBL)，本发明不仅可以通过第一位线并行访问存储于同一条字线(水平方向)上的数据，也可以通过第二位线并行访问存储于同一条位线(垂直方向)上的数据，从而允许双方向的并行数据访问，在图像处理等应用中可以大幅度减小访存次数、提高访存效率。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 双方 并行 数据 读取 挥发 存储 阵列 | ||
【主权项】：
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