[发明专利]工艺监测有效
| 申请号： | 201911276744.5 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111312607B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 卓尔·谢梅什;尤金·Ｔ·布洛克;阿迪·博姆;古吉特·辛格 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/2206 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于确定缺陷材料元素的方法，所述方法包括以下步骤：(a)通过带电粒子束系统并通过应用光谱工艺来获取缺陷的一部分的电磁发射光谱；(b)通过所述带电粒子束系统获取包括所述缺陷的区域的背散射电子(BSE)图像；以及(c)确定缺陷材料元素。所述确定缺陷材料元素的步骤包括以下步骤：确定在所述电磁发射光谱中是否存在模糊性；以及当确定存在所述模糊性时，基于所述BSE图像来解析所述模糊性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 监测 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
