[发明专利]红外探测器及其形成方法、红外探测器封装结构及其方法有效
| 申请号： | 201911273352.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111092126B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 钱良山;张云胜;姜利军 | 申请（专利权）人： | 浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/09;H01L31/18;G01J5/10 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 310053 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及红外探测器及其形成方法，红外探测器封装结构及其形成方法，所述红外探测器包括：探测器，包括衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有传感电路；基底，所述基底表面具有凹陷，所述凹陷的底面为曲面，所述凹陷位置与所述传感电路对应；所述探测器固定于所述基底表面，所述衬底的第二表面与所述凹陷的底面贴合，使得所述探测器的传感表面呈曲面。所述红外探测器成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 及其 形成 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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