[发明专利]一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法在审
| 申请号： | 201911269477.9 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110993566A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;李可为;周波 | 申请（专利权）人： | 成都工业学院 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 黄利萍;原春香 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法，在半导体衬底上形成双层硬掩膜层、光刻堆叠层以及缓冲层，在该缓冲层上旋涂一嵌段共聚物(BCP)层，经退火形成自组装模板图形；然后去除某一嵌段形成光刻图形，并将该图形依次转移到缓冲层、光刻堆叠层以及第二硬掩膜层，在图案化第二硬掩膜层上沉积电介质层后进行平坦化，随后去除第二硬掩膜层，以图案化电介质层为掩膜将图案转移至第一掩膜层和半导体衬底。本发明可以极大地克服现有图形转移过程中因为嵌段共聚物厚度和不同嵌段分子间低的刻蚀选择性导致的定向自组装问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 组装 调控 制备 半导体 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都工业学院，未经成都工业学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911269477.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热点事件确定方法、装置、存储介质及电子设备
- 下一篇：立柱型材
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
