[发明专利]一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911268137.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111129159A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;杨建文;胡耕涛;赵炎亮;曹峻;曹铎;石卉 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H01L21/368 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管包括自下而上依次堆叠的基板(1)、栅电极(2)，SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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