[发明专利]闪存的制造方法及闪存有效
| 申请号： | 201911261707.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110943038B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王成诚;王奇伟;邹荣;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H10B41/30;H01L29/423;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种闪存的制造方法及闪存，闪存的制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成隔离层；使用光刻胶作为掩膜，对所述隔离层进行离子注入，形成源线；在所述隔离层上形成遂穿氧化层；在所述遂穿氧化层上沉积多晶硅层，刻蚀形成浮栅，浮栅形成位线，所述位线和所述源线平行；在所述浮栅上形成多晶硅层，刻蚀形成控制栅，所述控制栅在一条直线上；在所述控制栅上形成自对准区域；在所述位线上形成第一接触孔和在所述源线上形成第二接触孔。在本发明提供的闪存的制造方法及闪存中，形成的控制栅在一条直线上，可以缩小闪存的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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