[发明专利]基于离子注入边缘终端的垂直AlN肖特基二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201911258100.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110957375A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;宋秀峰;张进成;张雅超;刘志宏;张春福;陈大正;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/20;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于离子注入边缘终端的垂直AlN肖特基二极管，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、n+层(2)、漂移层(3)，衬底(1)的下部设有阴极(5)，漂移层(3)的上部设有阳极(6)，漂移层(3)和阳极(6)上部设有钝化层(7)，阳极(6)下方的漂移层(3)中通过离子注入形成边缘终端(4)。本发明由于对衬底、n+层和漂移层均采用AlN材料，并采用离子注入边缘终端降低阳极下方边缘电场峰值，提高了器件的击穿电压和可靠性，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 注入 边缘 终端 垂直 aln 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911258100.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气瓶刺破装置和双气瓶刺破装置
- 下一篇：一种立式自然循环蒸汽发生器
- 同类专利
- 专利分类
