[发明专利]高落差台阶结构的多色LED外延芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911251245.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048637B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 智婷;陶志阔;薛俊俊 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 落差 台阶 结构 多色 led 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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