[发明专利]具有集成钳位二极管的半导体器件在审
| 申请号： | 201911241056.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111293175A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赖艳;马克·加日达;巴里·怀恩;菲尔·鲁特 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：与p‑n结集成的MOSFET，所述p‑n结被布置为所述MOSFET的源极接触和漏极接触之间的钳位二极管；其中，所述MOSFET限定第一击穿电压，并且所述钳位二极管限定第二击穿电压，其中，所述第一击穿电压大于所述第二击穿电压，使得所述钳位二极管被配置和布置为接收低雪崩电流，并且所述MOSFET被配置和布置为接收高雪崩电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 二极管 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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