[发明专利]具有掩埋栅极结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911239968.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112103341A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 金东洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于改善栅极感应漏极泄漏的半导体器件及其制造方法，并且该半导体器件可以包括：衬底；第一掺杂区和第二掺杂区，二者被形成为被衬底中的沟槽彼此间隔开；在沟槽之上的栅极电介质层；在栅极电介质层之上的掩埋栅极；沟道，沿着沟槽的轮廓在第一掺杂区与第二掺杂区之间；第一偶极子感应部分，嵌入在掩埋栅极与沟道之间的栅极电介质层中；以及第二偶极子感应部分，嵌入在掩埋栅极与第一掺杂区和第二掺杂区之间的栅极电介质层中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 栅极 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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