[发明专利]一种防止功率半导体开关非饱和导通的方法、计算机可读存储介质及空调在审
| 申请号： | 201911234159.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111059684A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李家琦;陈代兵;吴晓康;卜建平 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | F24F11/30 | 分类号： | F24F11/30;F24F11/88;F24F11/64;F24F11/61;F24F11/38;F24F11/52 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 杨树民 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止功率半导体开关非饱和导通的方法、计算机可读存储介质及空调，所述防止功率半导体开关非饱和导通的方法，其特征在于，包括：获取功率导通开关的输入端和输出端之间的电压VCE和驱动频率F，根据所述电压VCE和所述驱动频率F调整功率导通开关的导通时间Ton。本发明通过在功率半导体开关导通时刻检测功率半导体开关输入端和输出端之间的电压VCE来判断饱和导通和非饱和导通状态，并根据电压VCE调整开关导通时间，避免功率开关器件因非饱和导通而损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 功率 半导体 开关 饱和 方法 计算机 可读 存储 介质 空调 | ||
【主权项】：
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