[发明专利]降低闪存滞留错误的方法、装置及固态硬盘有效

专利信息
申请号: 201911202913.0 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN110970082B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 张吉兴;黄运新;李卫军;杨亚飞 申请(专利权)人: 深圳大普微电子科技有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/50
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 代理人: 江晓苏
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种降低闪存滞留错误的方法、装置及固态硬盘。该方法包括:获取目标电压;在对存储器储存单元写入电压时,将所述目标电压作为所述写入电压写入,其中,所述目标电压为大于所述存储器储存单元的最优电压,并且满足所述闪存ECC校验的纠错能力范围的电压。该方法降低数据存储出错的概率,有效的延长了闪存的滞留时间,并间接的提升了闪存的品质。
搜索关键词: 降低 闪存 滞留 错误 方法 装置 固态 硬盘
【主权项】:
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