[发明专利]降低闪存滞留错误的方法、装置及固态硬盘

权利要求书

1.一种降低闪存滞留错误的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取目标电压，所述目标电压包括存储器储存单元的偏移电压；

在对存储器储存单元写入电压时，将所述目标电压作为所述写入电压写入，其中，所述目标电压为大于所述存储器储存单元的最优电压，并且满足所述闪存ECC校验的纠错能力范围的电压；所述最优电压指的是向所述存储器储存单元写入电压时，写入的电压使所述存储器储存单元的错误比特数最小的电压；

其中，所述方法还包括：获取所述存储器储存单元的偏移电压，所述获取所述存储器储存单元的偏移电压包括：

对所述偏移电压进行初始化，得到初始电压；

获取预设的间隔电压；

将所述初始电压与所述间隔电压进行求和运算，得到试验电压；

判断所述试验电压是否满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围；

如果满足，则将所述试验电压与所述间隔电压进行求和运算得到新的试验电压，并判断所述新的试验电压是否满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围，直至得到不满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围的试验电压；

如果不满足，则将所述不满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围的试验电压减去所述间隔电压，以得到所述偏移电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取目标电压包括：

获取所述存储器储存单元的最优电压；

将所述最优电压和所述偏移电压进行求和运算，以得到所述目标电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断所述试验电压是否满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围包括：

获取预设字线数据的pattern所对应的最优电压；

根据所述试验电压和所述预设字线数据的pattern所对应的最优电压获取所述预设字线数据的写入电压；

根据所述写入电压写入所述预设字线数据；

读取经过ECC纠错后的字线数据，判断所述经过ECC纠错后的字线数据的pattern是否与写入的所述预设字线数据的pattern相同；

若是，则所述试验电压满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围；

若否，则所述试验电压不满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述目标电压为满足所述闪存ECC校验的纠错能力范围内的最大电压。

5.一种降低闪存滞留错误的装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取目标电压，所述目标电压包括存储器储存单元的偏移电压；

处理模块，用于在对存储器储存单元写入电压时，将所述目标电压作为所述写入电压写入，其中，所述目标电压为大于所述存储器储存单元的最优电压，并且满足所述闪存ECC校验的纠错能力范围的电压；所述最优电压指的是向所述存储器储存单元写入电压时，写入的电压使所述存储器储存单元的错误比特数最小的电压；

其中，所述获取模块包括第二获取单元，所述第二获取单元用于获取所述存储器储存单元的偏移电压，具体地，所述第二获取单元用于：

对所述偏移电压进行初始化，得到初始电压；

获取预设的间隔电压；

将所述初始电压与所述间隔电压进行求和运算，得到试验电压；

判断所述试验电压是否满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围；

如果满足，则将所述试验电压与所述间隔电压进行求和运算得到新的试验电压，并判断所述新的试验电压是否满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围，直至得到不满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围的试验电压；

如果不满足，则将所述不满足所述闪存的ECC校验的纠错能力范围的试验电压减去所述间隔电压，以得到所述偏移电压。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述获取模块包括：

第一获取单元，用于获取所述存储器储存单元的最优电压；

处理单元，用于将所述最优电压和所述偏移电压进行求和运算，以得到所述目标电压。