[发明专利]具有改进的可控性的功率半导体开关在审
| 申请号： | 201911190240.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111244152A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | M.贝宁格-比纳;M.达伊内塞;I.迪恩斯托费尔;E.格里布尔;C.伦德茨;C.P.桑多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;申屠伟进 |
| 地址： | 德国德累*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体开关（1）包括第一负载端子（11）和第二负载端子（12），并且被构造为沿竖直方向（Z）在所述端子（11、12）之间传导负载电流，并且进一步包括：具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1‑2）；具有第二导电类型的阱区（109）的边缘终止区（1‑3）；多个IGBT单元（1‑1）；和与至少一个IGBT单元（1‑1）相关联的交叉沟槽结构（1415）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 可控性 功率 半导体 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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