[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201911190047.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111916459B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 金镇河 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/00;H10B41/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括：形成单元芯片，该单元芯片包括第一基板、位于第一基板上的源极层、位于源极层上的层叠结构、以及穿过层叠结构并联接到源极层的沟道层；将单元芯片翻转；通过从单元芯片去除第一基板来暴露源极层的后表面；对源极层的后表面执行表面处理，以减小源极层的电阻；形成外围电路芯片，该外围电路芯片包括第二基板和位于第二基板上的电路；以及将包括具有减小的电阻的源极层的单元芯片接合到外围电路芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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