[发明专利]台阶单片式光谱芯片制备方法有效
| 申请号: | 201911189981.8 | 申请日: | 2019-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN111029351B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
| 发明(设计)人: | 张晨;刘舒扬;赵安娜;吕津玮;王天鹤;刘建辉;贾晓东 | 申请(专利权)人: | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 周恒 |
| 地址: | 300308 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明属于光谱成像技术领域,具体涉及一种台阶单片式光谱芯片制备方法。与现有技术相比较,本发明在多层堆叠分布式布拉格镜结构模拟设计和制造的基础上,采用CMOS工艺兼容的材料,以高反射率的布拉格镜为FP腔镜,在CMOS图像传感器上直接设计生长FP分光薄膜结构,形成单芯片单谱段光谱成像微系统;前期主要是目标是完成单谱段和双谱段的光谱成像芯片,在此基础上,逐渐实现多谱段台阶式的光谱成像芯片。本发明提高了台阶式光谱芯片制备的制造效率,节省了加工时间,有效的降低了工艺中掩膜和光刻的工艺次数,降低了光谱芯片的制造成本,使之更加具有竞争力。 | ||
| 搜索关键词: | 台阶 单片 光谱 芯片 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





