[发明专利]台阶单片式光谱芯片制备方法有效

专利信息
申请号: 201911189981.8 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN111029351B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 张晨;刘舒扬;赵安娜;吕津玮;王天鹤;刘建辉;贾晓东 申请(专利权)人: 天津津航技术物理研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 周恒
地址: 300308 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于光谱成像技术领域,具体涉及一种台阶单片式光谱芯片制备方法。与现有技术相比较,本发明在多层堆叠分布式布拉格镜结构模拟设计和制造的基础上,采用CMOS工艺兼容的材料,以高反射率的布拉格镜为FP腔镜,在CMOS图像传感器上直接设计生长FP分光薄膜结构,形成单芯片单谱段光谱成像微系统;前期主要是目标是完成单谱段和双谱段的光谱成像芯片,在此基础上,逐渐实现多谱段台阶式的光谱成像芯片。本发明提高了台阶式光谱芯片制备的制造效率,节省了加工时间,有效的降低了工艺中掩膜和光刻的工艺次数,降低了光谱芯片的制造成本,使之更加具有竞争力。
搜索关键词: 台阶 单片 光谱 芯片 制备 方法
【主权项】:
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