[发明专利]一种氮化镓功率器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911187138.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110854193A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;王东;吴勇;汪琼;陆俊;何滇;严伟伟;曾文秀;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
一种氮化镓功率器件结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，介质层的材质为高介电常数Ta2O5，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，采用本方法形成的MIS栅极结构，其栅极漏电流更小，抗击穿电压更高。器件的栅极漏电流相比常规SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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