[发明专利]自对准四重图案及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911164226.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867369B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;傅晓娟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种自对准四重图案和半导体器件的制造方法，包括：在目标刻蚀层上依次形成第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层，其中所述第一抗反射层相对于所述第二抗反射层有刻蚀选择性；刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层，形成第一芯模图案；在所述第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；刻蚀水平方向的第一侧墙材料层及所述第一芯模图案以形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二抗反射层和所述第二芯模层，形成第二芯模图案；在所述第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；以及刻蚀水平方向的第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙。本发明可以改善线条边缘粗糙度和线宽粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图案 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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