[发明专利]一种碳化硅薄壁结构件的制备方法在审
| 申请号： | 201911156094.0 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112830786A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杨金 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571;C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，包括以下步骤：S1、利用石墨基材制作模具；S2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；S3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；S4、将工件中的石墨基材完全与氧气进行反应，获得固体碳化硅工件。本发明具有碳化硅薄壁结构件具有较高的纯度，有利于避免高温、污染、氧化、腐蚀等问题，有助于提高设备工艺能力和稳定性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 薄壁 结构件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所，未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911156094.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高碘含量I
- 下一篇：一种F掺杂P2-Na
