[发明专利]一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法在审
| 申请号： | 201911150703.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111074227A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李冬强;姜凡;邵天 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是通过固定晶片传送速度，调节A、B靶材的镀膜功率而达到晶片a、b两面的不对称性镀膜；其中晶片a面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率时所需的镀膜量，晶片b面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率且有适当预留量时所需的镀膜量；镀膜保有预留量的晶片b面用于单面刻蚀。优点：晶片a、b两面不对称性镀膜，保有预留量的晶片b面用于单面的微调刻蚀，在晶片达到标称频率时晶片a、b两面的镀膜量极为接近，弥补了单面刻蚀而造成的晶片两面不对称性。在性能上使得晶片具有更好的频率稳定性，更好的DLD特性等优点；同时降低了生产过程中昂贵靶材的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 弥补 单面 刻蚀 对称性 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫晶体科技有限公司，未经南京中电熊猫晶体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911150703.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 靶材和离子源角度测量工具-202321312623.3
- 孙卓杰;薛凯文;王世武 - 青岛海泰光电技术有限公司
- 2023-05-29 - 2023-10-27 - C23C14/46
- 本实用新型提供一种靶材和离子源角度测量工具。靶材取边器包括第一板和第二板，第一板和所述第二板呈直角设置，第一板上设置有贯通板面高度方向的靶材取边器桶槽；离子源取边器包括第三板和第四板，第三板和所述第四板呈直角设置，第四板上设置有贯通板面高度方向的离子源取边器桶槽；固定件穿过靶材取边器桶槽、离子源取边器桶槽以将靶材取边器、离子源取边器固定，且，靶材取边器、离子源取边器安装后，第一板和第二板形成的直角与第三板和第四板形成的直角相对；角度测量盘安装在固定件上。进行测量工作时，将将靶材取边器、离子源取便器的边沿分别对准待测靶材和待测离子源即可以完成角度读取，测量方便。
- 离子溅射镀膜装置-202320296253.2
- 张殷;孙紫娟;徐胜;孙伟;张小飞;何龙 - 苏州岚创科技有限公司
- 2023-02-23 - 2023-08-15 - C23C14/46
- 本实用新型涉及一种离子溅射镀膜装置，包括：腔体组件，所述腔体组件包括外壳体与内筒体，所述内筒体设置于所述外壳体内，内筒体的外壁与外壳体的内壁围成有工作腔，所述外壳体的侧壁开设有第一开口，所述第一开口与所述工作腔连通，工作状态下，所述工作腔为真空环境；离子溅射组件，所述离子溅射组件与所述外壳体连接；运输件，所述运输件设置于所述工作腔内，所述运输件用于携带基板在所述工作腔内运动。由于采用筒状的工作腔，其用于镀膜的表面积大于常规的伞具和行星轮结构所获得镀膜面积，有利于提高镀膜效率。另外，内筒体中间区域无需保持真空，为常压状态，有利于大幅降低泵体和加热的能耗，从而降低生产成本，提高经济效益。
- 一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置-202310750458.8
- 王晓宇;苗龙;何梓豪 - 北京理工大学
- 2023-06-25 - 2023-08-04 - C23C14/46
- 本发明公开一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置，包括真空仓，真空仓内设置有支撑底板和射频离子推力器，支撑底板的顶部可拆卸安装有溅射沉积三维收集机构，支撑底板的顶端设置有靶材，靶材设置于溅射沉积三维收集机构的内侧，射频离子推力器设置于溅射沉积三维收集机构的上方，射频离子推力器用于产生离子束，离子束用于轰击靶材。本发明通过实验收集多方位角度下的靶材溅射沉积质量，基于经离子轰击靶材后溅射粒子产生的三维球型溅射区域监测的需求，通过靶材及三维溅射沉积收集装置不同角度的摆放，实现离子不同轰击入射角的三维溅射区域监测。本发明采用机械结构组成，易于组装，加工简单，使用方便，数据采集稳定。
- 一种磁过滤阴极弧沉装置及方法-202310105978.3
- 潘高明;肖宇雄;潘建扬 - 嘉兴艾钛科纳米科技有限公司
- 2023-02-08 - 2023-06-23 - C23C14/46
- 本发明公开了涂层沉积技术领域的一种磁过滤阴极弧沉装置及方法，包括真空箱11、离子发生机构12、过滤管、多个磁场发生器13、分离机构和沉积发生机构14，所述过滤管由竖直设置的第一直管、弯管和横向设置的第二直管卡合组成，所述分离机构设置在真空箱11内，所述分离机构用于使第一直管、弯管和第二直管分散或相互卡合；本发明采用真空箱11为设备结构提供真空环境，进一步的为第一直管、弯管和第二直管的可分离式设计提供使用基础，进一步的，使过滤管的管壁上的金属液滴增多至需要对过滤管的管壁进行清理时，能够通过分离机构使第一直管、弯管和第二直管之间相互分离，使后续对管壁的清理更加简单。
- 离子溅射镀膜装置-202310158540.1
- 张殷;孙紫娟;徐胜;孙伟;张小飞;何龙 - 苏州岚创科技有限公司
- 2023-02-23 - 2023-05-16 - C23C14/46
- 本发明涉及一种离子溅射镀膜装置，包括：腔体组件，所述腔体组件包括外壳体与内筒体，所述内筒体设置于所述外壳体内，内筒体的外壁与外壳体的内壁围成有工作腔，所述外壳体的侧壁开设有第一开口，所述第一开口与所述工作腔连通，工作状态下，所述工作腔为真空环境；离子溅射组件，所述离子溅射组件与所述外壳体连接；运输件，所述运输件设置于所述工作腔内，所述运输件用于携带基板在所述工作腔内运动。由于采用筒状的工作腔，其用于镀膜的表面积大于常规的伞具和行星轮结构所获得镀膜面积，有利于提高镀膜效率。另外，内筒体中间区域无需保持真空，为常压状态，有利于大幅降低泵体和加热的能耗，从而降低生产成本，提高经济效益。
- 一种利用率高的靶材系统及其使用方法-201710291171.8
- 刘伟基;冀鸣;陈蓓丽 - 中山市博顿光电科技有限公司
- 2017-04-28 - 2023-05-12 - C23C14/46
- 本发明涉及离子源溅射技术领域，更具体地，涉及一种利用率高的新型靶材系统及其使用方法，该新型靶材系统包括第一背板、第二背板、密封腔、第一驱动装置、旋转轴及第二驱动装置；密封腔设于第一背板与第二背板之间，第一驱动装置固定于密封腔内并与第一背板及第二背板同轴连接；旋转轴的两端分别与第二驱动装置及密封腔连接。通过控制旋转轴的旋转以使第一背板和第二背板先后正对离子源溅射装置，且溅射过程中控制第一背板和第二背板持续转动，以增加离子源溅射装置溅射的靶材表面积；本发明不但能大幅度提高靶材的利用率，降低生产成本，而且能保证靶材材料沉积速率的稳定性，保证制造的薄膜不受污染。
- 一种离子束沉积装备-202223555843.7
- 张松林 - 成都超迈光电科技有限公司
- 2022-12-30 - 2023-04-07 - C23C14/46
- 本实用新型涉及薄膜技术领域，具体涉及一种离子束沉积装备，包括壳体，壳体内设有真空腔室，真空腔室的顶部设有电动伸缩柱，电动伸缩柱的下端连接有镀膜件，真空腔室的顶部且在电动伸缩柱的两侧均设有支撑柱，支撑柱的下端设有倾斜设置的离子源，真空腔室内设有两个靶台，真空腔室的底部设有用于对靶台进行支撑的支撑组件，壳体的一侧设有与真空腔室相连通的抽真空装置，真空腔室的顶部且在电动伸缩柱分别与两个支撑柱之间均设有用于检测靶台上端面的倾斜角度的角度检测传感器，解决多边形设置的靶台进行转动后对靶台平面的角度缺少相应的检测装置，当转动后的靶台上端面发生倾斜后会造成镀膜工件表面镀膜厚度不一，造成产品加工不达标的问题。
- 一种离子束溅射镀膜用镀膜机、遮挡板及均匀性修正方法-202211494952.4
- 王磊磊;张钦;韩学坤 - 青岛镭视光电科技有限公司
- 2022-11-26 - 2023-03-21 - C23C14/46
- 本申请涉及一种离子束溅射镀膜用镀膜机、遮挡板及均匀性修正方法，涉及镀膜的技术领域；离子束溅射镀膜用镀膜机包括工件盘，用于固定基片；遮挡板，位于工件盘下方，用于遮挡部分由沉积系统轰击靶材系统产生的薄膜材料；定位底座，用于安装遮挡板；调节件，与定位底座连接，用于调节定位底座位于镀膜腔室内与工件盘的相对位置；遮挡板包括第一MASK金属板和第二MASK金属板，本申请具有降低膜层均匀性分布差异的效果。
- 一种斜入射高性能窄带滤光薄膜的制备方法-202211491382.3
- 张锦龙;汲小川;焦宏飞;程鑫彬;王占山 - 同济大学
- 2022-11-25 - 2023-03-07 - C23C14/46
- 本发明涉及一种斜入射高性能窄带滤光薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：分别制备倾斜沉积的高、低折射率材料的单层膜；步骤2分别测试高、低折射率材料的单层膜的透射率和反射率曲线，根据透射率和反射率分别拟合获取高、低折射率材料的单层膜的厚度和折射率参数；步骤3：根据高、低折射率材料的单层膜的厚度和折射率参数，设计并确定在工作角度下，五腔窄带滤光薄膜的膜系结构；步骤4：根据五腔窄带滤光薄膜的膜系结构，制备斜入射高性能窄带滤光薄膜，并测试斜入射高性能窄带滤光薄膜的透射光谱。与现有技术相比，本发明能够解决现有技术中入射角度大于25°时窄带滤光薄膜的光学特性会发生显著变化的问题，且薄膜透过率高。
- 一种板材表面处理靶台结构-202222232909.2
- 陈江;李鸿亚;周利华;石新权;华强;吴卓歆;姜岳峰;牛书通;李文腾;雷震 - 中核四0四有限公司
- 2022-08-24 - 2023-02-17 - C23C14/46
- 本实用新型提供一种板材表面处理靶台结构，包括：腔体，所述腔体具有适于容置板材的空间，且所述腔体的侧壁上设有离子源接口；轨道，所述轨道设于所述腔体内；夹持机构，所述夹持机构与所述轨道滑动连接，且适于夹持所述板材。本实用新型的方案可以实现板材的表面处理，实现离子束清洗和镀膜的一体化处理，在不破坏原有真空条件的情况下，完成板材的离子束清洗和镀膜，从而有效提高板材镀膜的处理质量和效率。
- 一种用于红外金属膜的离子束沉积设备及薄膜沉积方法-202011064841.0
- 罗超;胡凡;范江华;程文进;陈特超 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2020-09-30 - 2023-01-31 - C23C14/46
- 本发明公开了一种用于红外金属膜的离子束沉积设备及薄膜沉积方法，该设备包括装卸片腔室和溅射腔室，设在二者之间设有第一高真空隔离阀，装卸片腔室设有真空密封门，真空密封门中贯穿有推进杆，推进杆于真空密封门内侧的一端设有工件台，真空密封门外侧设有用于推动推进杆的推进机构，装卸片腔室连接有第一抽真空装置。薄膜沉积方法采用上述设备进行薄膜沉积。本发明中，设置的装卸片腔室，能够减少溅射腔室的开腔和抽真空次数，缩短抽真空时间，提高产能，能使溅射腔室内始终保持真空环境，减少烧靶次数，提高靶材的利用率。本发明离子束沉积设备具有产能高、靶材利用率高等优点，能够广泛用于沉积红外金属膜，有着很高的使用价值和应用前景。
- 一种特殊的离子源挡板-202221184731.2
- 周志辉;殷海明 - 东莞市长益光电股份有限公司
- 2022-05-13 - 2022-11-22 - C23C14/46
- 本实用新型公开了一种特殊的离子源挡板，包括顶层板、底层板，所述顶层板位于底层板的顶部，所述底层板顶部的中间开设有通孔，所述顶层板的一侧固定连接有连接杆一，所述底层板的一侧固定连接有连接杆二，所述顶层板的底部开设有空腔，且顶层板的底部为圆锥状的设计。该特殊的离子源挡板，使用了两层挡板设计，底层板使用中空圆环状设计，由于接触离子源面积变小，受力降低，挡板将不容易变形；顶层板使用比通孔中心面积略大的小挡板，能有效的将中心处聚集的离子源粒子反射到挡板处，而不是全部反射到离子源本体上，从而提高离子源使用寿命及稳定性，加上挡板较小，受力小，顶层板也不容易发生形变。
- 一种高信噪比的滤光片及其制备方法和应用-202210686508.6
- 张椿英;何孔杰;陈家星;周衍浩 - 安徽信息工程学院
- 2022-06-16 - 2022-08-30 - C23C14/46
- 本发明提供了一种高信噪比的滤光片及其制备方法和应用，所述滤光片包括：玻璃基板；增透膜，所述增透膜设置于玻璃基板的一个表面上；多层薄膜复合单元，所述薄膜复合单元设置于玻璃基板的另一个表面上；每层薄膜复合单元均由多层二氧化硅/氮化硼/五氧化二钽复合薄膜与一层五氧化二钽/氮化硼复合薄膜组成；本发明的高信噪比的滤光片的信噪比可达10
- 离子束溅射设备和方法-201880089965.9
- R·J·富特;R·J·戴维森;J·莱韦纳尔;约翰·V·肯尼迪 - 地质研究院及核科学有限公司;R·J·富特;R·J·戴维森
- 2018-12-21 - 2022-08-26 - C23C14/46
- 本发明的一个方面提供了一种离子束溅射设备，该离子束溅射设备包括：离子源，该离子源被构造为沿着束轴线生成中空离子束，该束轴线位于束的中空部分中；和溅射靶，该溅射靶具有限定至少一个靶表面的靶体，靶体包括可溅射粒子，靶体相对于离子源定位，使得离子束撞击至少一个靶表面，以从靶体朝向要改性的物体的表面溅射粒子。靶体被成形为使得朝向待改性表面溅射的粒子通常相对于束轴线在径向延伸的溅射方向上从溅射靶溅射，溅射方向是(i)朝向束轴线延伸的方向和(ii)远离束轴线延伸的方向中的一个。
- 一种脉冲离子源镀膜引出装置-202110446190.X
- 郭春刚;程国安;郑瑞廷 - 北京师范大学
- 2021-04-25 - 2022-07-26 - C23C14/46
- 本发明涉及一种脉冲离子源镀膜引出装置，包括脉冲电极，阴极靶材和阳极；阳极包括外筒体和内部的阳极环；阴极靶材与外筒体之间导通；所述阳极环与外筒体之间设置有绝缘材料；阴极靶材为柱状，插入外筒体内，并位于外筒体中的阳极环上方；阴极靶材中心线穿过阳极环的中心孔；阴极靶材与驱动电机传动连接，驱动阴极靶材向阳极环进给；阴极靶材的离子发射端外侧套设有脉冲电极，并且阴极靶材的裸露端伸出脉冲电极，阴极靶材与脉冲电极之间设置有绝缘套；阳极环连接电源的正极，阴极靶材连接电源的负极或接地，脉冲电极连接脉冲电源。本发明离子源引出的离子束可以持续不断，引出的离子束质量提高，分布均匀。
- 一种离子束镀膜设备及其镀膜方法-202110063794.6
- 范江华;佘鹏程;周立平;巴塞;袁祖浩;程文进 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2021-01-18 - 2022-07-12 - C23C14/46
- 本发明公开了一种离子束镀膜设备及其镀膜方法，该设备包括传送腔室和连接在传送腔室上的装卸片腔室、镀膜腔室和清洗腔室，它们之间设有隔离阀，传送腔室内设有转运机构。镀膜方法采用的是上述设备进行镀膜处理。本发明中，装卸片腔室，用于存放不同类型的基片，传送腔室，实现基片在装卸片腔室、镀膜腔室和清洗腔室之间的转运，镀膜腔室，可实现对多个基片进行同时镀膜，也可实现多种类型膜层的制备，清洗腔室，可去除基片表面的脏污及氧化物，提高薄膜与基片之间的附着力。本发明离子束镀膜设备可实现基片的连续清洗和连续镀膜，可实现连续生产，提高生产效率，降低生产成本，能够满足基片(如红外器件)对大尺寸、低损伤、低温镀膜工艺的要求。
- 离子束溅射镀膜方法、靶材安装结构及离子束溅射设备-202111652136.7
- 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 - 佛山市博顿光电科技有限公司;中山市博顿光电科技有限公司
- 2021-12-30 - 2022-04-12 - C23C14/46
- 本申请涉及一种离子束溅射镀膜方法、靶材安装结构及离子束溅射设备，所述方法包括：在靶材背板的安装位置上分别放置多种靶材；其中，所述靶材背板平面以分区形式设置多个靶材安装位置；控制离子源以设定工艺参数输出离子束，轰击所述靶材背板上的靶材进行溅射镀膜；根据镀膜薄膜的参数要求计算所述靶材背板相对于离子源的位移数据；根据所述位移数据控制所述离子源与靶材背板产生平面相对运动，以调整所述离子束轰击各种靶材的比例；该技术方案中，可以实现多种不同靶材材料的蒸发镀膜方案，可以实现材料折射率实现渐变工艺，提高产品光谱特性，具有更好的镀膜效果；而且镀膜过程的可控性高，无需暂停离子源工作，控制逻辑简单，可控性强。
- 溅射沉积的方法和设备-202111134030.8
- M.E.伦德尔 - 戴森技术有限公司
- 2021-09-27 - 2022-04-12 - C23C14/46
- 一种溅射沉积系统的反应离子源。该反应离子源包括：电驱动天线、外壳、入口以及外壳的出口，其中天线具有基本上细长的形状，外壳至少部分地围绕天线，入口用于将反应气体供应到外壳中，出口配置为使得反应离子能够穿过该出口。天线配置为将电磁场施加到反应气体，使得形成包括反应离子的等离子体。
- 一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法-201911100724.2
- 瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅;亚历山大·托斯托古佐夫;付德君;刘传胜 - 武汉大学深圳研究院
- 2019-11-12 - 2022-04-08 - C23C14/46
- 本发明提供了一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法，将气体团簇离子束的产生过程和靶材的溅射过程分开，无气体杂质的污染，溅射出的靶材材料直接沉积为薄膜，提高了薄膜的纯度；气体团簇离子束的能量介于3‑20keV，使得靶材材料溅射率高，薄膜沉积率高，使用目标薄膜材料制成靶材，且气体团簇离子束中的单原子能量很低，不至于熔化靶材，尤其适用于制备熔点低于200℃的低熔点、多元素组分的固体电解质薄膜；环绕靶材设置2个以上的衬底，一次性沉积2个以上的薄膜，耗时短，薄膜沉积效率高；制膜条件严格可控，重复性好，形成的薄膜纯度高、均匀可控，厚度介于100‑1000nm。
- 一种高硬度低吸收氮化硅薄膜的制备方法-201911146631.3
- 刘华松;姜玉刚;何家欢;王利栓;季一勤 - 天津津航技术物理研究所
- 2019-11-21 - 2022-04-01 - C23C14/46
- 本发明涉及一种高硬度低吸收Si
- 一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法-202111584469.0
- 任斌;何东旺 - 江苏籽硕科技有限公司
- 2021-12-23 - 2022-03-25 - C23C14/46
- 本发明公开了一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，涉及离子束技术领域，包括以下步骤：步骤S1：准备，溅射壳准备；作业物件准备：靶台、金属靶材、氮离子源、衬底，工件台和挡板；步骤S2：预处理，物件清洗；衬底清洗；衬底表面处理；步骤S3：安装，将溅射壳进行固定；将所述步骤S2中的物件在所述溅射壳内进行安装；步骤S4：启动，用真空泵对所述溅射壳进行抽真空；驱动并打开氮离子源的电源；步骤S5：制膜；步骤S6：检验。本发明具备了通过开合挡板可对靶材进行表面的处理，以提高后续在衬底上的成膜质量，通过离子束溅射沉积工艺制成的薄膜具有均匀程度高、表面较为光滑，光学性质稳定的效果。
- 一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备-202111584476.0
- 朱慧;曹俊 - 江苏籽硕科技有限公司
- 2021-12-23 - 2022-03-22 - C23C14/46
- 本发明公开了一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，涉及溅射镀膜技术领域，包括沉积室，还包括工件和防护罩，沉积室的内壁设置有两个固定台，两个固定台的相对侧设置有工作台，工件设置在移动台的表面，移动台与工作台相贴合，防护罩与工作台的相对侧铰接有铰接杆和V型杆，沉积室的内壁设置有靶台组件，沉积室的内壁设置有两个离子组件，离子组件包括离子源。本发明具备了通过挡板对工件的遮挡，达到了离子源预先对靶材进行高效清理的效果以及提高空间利用率的效果，同时离子组件和靶材组件可进行定向的移动和偏转，以提高制膜的工作效率以及制膜的均匀程度的效果。
- 一种带有离子辅助镀膜的光学镀膜机-202121123480.2
- 陈强生 - 昆山易泰薄膜装饰有限公司
- 2021-05-25 - 2021-12-14 - C23C14/46
- 本实用新型提供的一种带有离子辅助镀膜的光学镀膜机，包括工作箱，离子镀膜辅助机箱设置于工作箱的外表面左侧，转动镀膜装置设置于工作箱的内部，热风烘干装置安装设置于工作箱的外表面右侧，可调节支架安装设置于转动镀膜装置的表面，光学镀膜主机壳的下底面设置有放置稳定底板，光学镀膜主机壳的上表面设置有镀膜箱，离子辅助机箱安装设置于光学镀膜主机壳的外表面左侧，控制屏的下侧设置有控制盘。本实用新型提供的一种带有离子辅助镀膜的光学镀膜机具有配合离子光束进行镀膜加工，让镀膜面更贴合载体，密实度更高，设置有热风烘干装置，加快了镀膜负责时间，使得整个镀膜工作不仅效率更高，镀膜的效果也更佳的优点。
- 一种暗光白色镀膜工艺-202010152562.3
- 吴翔 - 上海良勤实业有限公司
- 2020-03-06 - 2021-12-07 - C23C14/46
- 本发明涉及一种暗光白色镀膜工艺，包括步骤：产品除尘，使其产品表面洁净；启动离子溅射镀膜设备并放入产品；抽真空后充入氩气；启动离子源轰击产品以清洗产品表面；将靶材接负高压，启动溅射镀膜；溅射镀膜完成，关闭抽真空阀门；打开放气阀；取出产品；产品检验；成品入库；离子溅射镀膜设备包括内部中空的机壳，机壳中心设有水平设置的加工平台，加工平台上设有用于安装产品的安装架，加工平台中心设有接地的铝棒，且安装架上的产品接地；机壳内还设有铬材料的靶材，靶材环绕加工平台设置，且靶材接入负高压；加工平台底部设有用于驱动加工平台转动的驱动装置。本发明具有镀膜亮度更低，金属质感更强的效果。
- 一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置-202022716774.8
- 范江华;彭立波;胡凡;龚俊;毛朝斌;佘鹏程 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2020-11-20 - 2021-11-26 - C23C14/46
- 本实用新型提供了一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，该修正装置包括支撑板和可拆卸安装在支撑板上的修正板，具有结构简单、易于拆卸、便于调整和维护的优点，且调整和维护难度不随基片尺寸的增加而提高；同时，构成修正板的各个上修正块和各个下修正块均可沿垂直于支撑板长度方向前后滑动，并与中心修正块形成形状可调的修正装置，因而可根据镀薄膜厚度分布特点改变修正板形状，其作为基片与靶材之间的工艺修正板进行薄膜沉积时能够遮挡部分靶材粒子沉积到基片表面，从而能够改善基片镀膜均匀性，实现大尺寸高均匀区沉积，适用于多种靶材、多种设备沉膜均匀性的修正，可低成本解决基片所沉积膜层中心厚边缘薄的膜层不均匀问题。
- 一种脉冲离子源镀膜引出装置-202120855626.6
- 郭春刚;程国安;郑瑞廷 - 北京师范大学
- 2021-04-25 - 2021-11-12 - C23C14/46
- 本实用新型涉及一种脉冲离子源镀膜引出装置，包括脉冲电极，阴极靶材和阳极；阳极包括阳极环；阴极靶材位于阳极环上方；阴极靶材中心线穿过阳极环的中心孔；阴极靶材与驱动电机传动连接，驱动阴极靶材向阳极环进给；阴极靶材的离子发射端外侧套设有脉冲电极，并且阴极靶材的裸露端伸出脉冲电极，阴极靶材与脉冲电极之间设置有绝缘；阳极环连接电源的正极，阴极靶材连接电源的负极或接地，脉冲电极连接脉冲电源。本实用新型离子源引出的离子束可以持续不断，引出的离子束质量提高，分布均匀。
- 一种离子束镀膜装置-202120018453.2
- 闫志强 - 张家口柔电表面技术有限责任公司
- 2021-01-06 - 2021-10-26 - C23C14/46
- 本实用新型公开了一种离子束镀膜装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室中设置有主离子源、靶材、辅助离子源和水平的转台；第一电机能够驱动转台自转；所述转台的顶面对称设置有两个夹持机构，每个所述夹持机构均包括与所述转台连接的支架、与所述支架的顶部转动连接的竖直的转盘和转动设置在所述转盘上的夹爪，两个所述转盘上的所述夹爪一一对应，通过对应的两个所述夹爪夹持工件，所述支架上设置有能够驱动所述转盘自转的第二电机，一个所述转盘内设置有能够驱动所述夹爪自转的第三电机。本实用新型的离子束镀膜装置能够实现一次装夹即对工件全身镀膜，提高了镀膜效率且镀膜的均匀性好。
- 一种基于环保手机壳真空镀膜设备-202022713847.8
- 孙太忠 - 深圳市喆兴塑胶电子有限公司
- 2020-11-20 - 2021-09-14 - C23C14/46
- 本实用新型属于真空镀膜设备技术领域，尤其是一种基于环保手机壳真空镀膜设备，针对现有的真空镀膜设备在使用时，不便于对靶材进行取放，同时溅射的材料容易附着在设备的内部，不便于进行清理的问题，现提出如下方案，其包括真空箱，所述真空箱的一侧接触有密封门，密封门的一侧固定安装有承载板，承载板的顶部固定安装有第一放置盒，第一放置盒内卡装有第二放置盒，第二放置盒的顶部接触有放置板，放置板的顶部接触有离子束发生器，所述第二放置盒的顶部固定安装有把手，本实用新型可以避免靶材溅射在真空箱的内部，可以对第二放置盒进行拆卸清洗，同时方便取放靶材，结构简单，使用方便。
- 采用离子辅助交替沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te多层薄膜的方法-202010258916.2
- 谭明;李辉;李聪;贾树恒;刘小标 - 河南农业大学
- 2020-04-03 - 2021-07-20 - C23C14/46
- 本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb‑Te/Bi‑Sb‑Te薄膜的方法，该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统，制备工艺包括：把质量百分比纯度为99.99％的Sb
- 一种膜厚控制装置及其镀膜方法-202110426189.0
- 张翼;程西容;陈俊宏;钟永文;成松;黄中玉 - 湖北华鑫光电有限公司;湖北三峡职业技术学院
- 2021-04-20 - 2021-07-13 - C23C14/46
- 本发明提供一种膜厚控制装置，包括膜厚控制仪、振荡器、真空罩，所述真空罩内设有探头和挡板，膜厚控制仪通过振荡器与真空罩内的探头相连，探头包括石英晶振片和待镀膜基片，用于基于石英晶振片的振动对待镀膜基片进行镀膜，并将振动频率反馈给膜厚控制仪，膜厚控制仪驱动探头发生振动，并控制挡板闭合，通过真空罩底部的蒸发源将镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上，在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度，待镀膜基片的镀膜厚度达到预设厚度时，控制挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束。本发明还提供一种膜厚控制装置的镀膜方法。
- 专利分类
