[发明专利]一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法在审
| 申请号： | 201911150703.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111074227A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李冬强;姜凡;邵天 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 弥补 单面 刻蚀 对称性 镀膜 方法 | ||
1.一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是包括如下步骤：
1）预处理；
2）参数设定；
3）定面上架；
4）单面刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是所述步骤1）预处理：将待镀膜石英晶片摆放在镀膜夹具中，然后依次进行超声清洗、甩干和烘干，使石英晶片及镀膜夹具表面干燥、洁净。
3.根据权利要求1所述的一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是所述步骤2）参数设定：在上镀膜机设定晶片传送速度，分别调节晶片两面A、B靶材的镀膜功率，晶片a面镀膜预留量为-50 PPM≤FL≤50 PPM；晶片b面镀膜保有预留量用于单面刻蚀，预留量范围如下：F≤12M时，预留量为-800PPM≤FL≤-500PPM；12M＜F≤20M时，预留量为-1000PPM≤FL≤-500PPM；20M＜F≤30M时，预留量为-1200PPM≤FL≤-500PPM；F＞30时，预留量为-1500PPM≤FL≤-500PPM；泛音产品用标称频率除以3划为基频进行控制。
4.根据权利要求1所述的一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是所述步骤4）定面上架：将保有适当镀膜量的晶片b面朝上进行定面上架，并固定在基座上。
5.根据权利要求1所述的一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是所述4）单面刻蚀：将上架后且镀膜保有预留量的晶片b面朝上的半成品进行单面刻蚀，使得在晶片达到标称频率时晶片a、b两面的镀膜量相等。
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