[发明专利]降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法有效
| 申请号： | 201911150520.X | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081758B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈俊峰;杨培新;廖奇泊 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/329;H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法，包括：N型衬底和成型于所述N型衬底上表面的N型外延层，所述N型外延层的上表面开设有沟槽；所述沟槽的底部成型有P型掺杂区；所述N型外延层的上表面以及所述沟槽内成型有正面金属层，所述正面金属层与所述N型外延层肖特基接触，所述正面金属层与所述P型掺杂区欧姆接触。本发明节省了P型注入和P型注入区的欧姆接触区域的光刻制程；改善了MPS在低导通状态的导通电阻增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 通电 sic mps 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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