[发明专利]应变薄膜异质结、制备方法及应用有效
| 申请号： | 201911131880.5 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110804727B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 汪渊;孙森;向钢;王焕明 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/58;H01L29/165 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 杨国瑞 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种应变薄膜异质结、制备方法及应用，属于半导体薄膜制备技术领域，制备方法包括在多靶共溅磁控溅射真空室中分别装入高纯硅靶、高纯锗靶、高纯硼靶及高纯本征单晶锗衬底；将高纯本征单晶锗衬底加热至250℃；预溅射硅靶、锗靶以及硼靶各20min；溅射锗靶并沉积锗过渡层，共溅射沉积Si |
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| 搜索关键词： | 应变 薄膜 异质结 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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