[发明专利]基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置有效
| 申请号： | 201911127650.1 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110850812B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 景晓军;黄海;杨威;张芳沛;吴胜;陈千千 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G05B19/408 | 分类号： | G05B19/408;G06N20/00;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 马敬;赵元 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置，其中，速率控制方法包括：获取目标刻蚀速率；将目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；根据工艺参数需满足的条件，调节工艺参数的值，以使得按工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等。采用本发明实施例的技术方案，可以控制离子束刻蚀过程中的刻蚀速率，提高了刻蚀速率的可控性，从而提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 模型 离子束 刻蚀 速率 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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