[发明专利]基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置，其中，速率控制方法包括：获取目标刻蚀速率；将目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；根据工艺参数需满足的条件，调节工艺参数的值，以使得按工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等。采用本发明实施例的技术方案，可以控制离子束刻蚀过程中的刻蚀速率，提高了刻蚀速率的可控性，从而提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

技术领域

本发明涉及离子束刻蚀技术领域，特别是涉及一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置。

背景技术

离子束刻蚀是利用一定能量的离子对被刻蚀元件的表面进行轰击，使被刻蚀材料表面的原子发生溅射，达到刻蚀目的的一种刻蚀技术。离子束刻蚀因具有图像转移精度高、刻蚀效率高以及不受刻蚀材料限制等优点，被广泛的应用于微细加工领域。在进行离子束刻蚀的过程中，刻蚀深度是由刻蚀速率和刻蚀时间决定的。

由于影响刻蚀速率的因素较多，导致刻蚀速率的可控性较差，因此，现有技术中，通常是分析工艺参数对刻蚀速率的定性影响。

然而，通过分析工艺参数对刻蚀速率的定性影响，很难控制刻蚀速率，从而会使得离子束刻蚀的可控性和灵活性较差。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置，以提高刻蚀速率的可控性，从而提高离子束刻蚀的可控性和灵活性。具体技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，包括：

获取目标刻蚀速率；

将所述目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，所述速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，所述速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；

根据所述工艺参数需满足的条件，调节所述工艺参数的值，以使得按所述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等。

可选的，所述速率确定模型的训练过程为：

确定待训练模型；

获取样本数据，所述样本数据包括：样本特征参数、与所述样本特征参数对应的样本刻蚀速率；

将所述样本数据代入所述待训练模型中，得到所述待训练模型的模型参数的值；

将确定了模型参数的值的所述待训练模型作为速率确定模型。

可选的，所述工艺参数包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

可选的，所述确定待训练模型，包括：

确定刻蚀速率与各工艺参数的关系；

根据刻蚀速率与各工艺参数的关系，确定待训练模型。

可选的，所述确定刻蚀速率与各工艺参数的关系，包括：

使所述离子束流和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束能量，记录用不同离子束能量进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束能量与刻蚀速率关系；

使所述离子束能量和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束流，记录用不同离子束流进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束流与刻蚀速率关系；

使所述离子束能量和所述离子束流固定不变，改变所述离子束入射角度，记录用不同离子束入射角度进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束入射角度与刻蚀速率关系；