[发明专利]基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置有效
申请号: | 201911127650.1 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110850812B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 景晓军;黄海;杨威;张芳沛;吴胜;陈千千 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G05B19/408 | 分类号: | G05B19/408;G06N20/00;H01J37/305 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 马敬;赵元 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 模型 离子束 刻蚀 速率 控制 方法 装置 | ||
1.一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法,其特征在于,所述方法包括:
获取目标刻蚀速率;
将所述目标刻蚀速率代入速率确定模型,得到工艺参数需满足的条件;其中,所述速率确定模型为:以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型,所述速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型;所述工艺参数包括:离子束能量、离子束流、离子束入射角度;
根据所述工艺参数需满足的条件,调节所述工艺参数的值,以使得按所述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述速率确定模型的训练过程为:
确定待训练模型;
获取样本数据,所述样本数据包括:样本特征参数、与所述样本特征参数对应的样本刻蚀速率;
将所述样本数据代入所述待训练模型中,得到所述待训练模型的模型参数的值;
将确定了模型参数的值的所述待训练模型作为速率确定模型。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定待训练模型,包括:
确定刻蚀速率与各工艺参数的关系;
根据刻蚀速率与各工艺参数的关系,确定待训练模型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述确定刻蚀速率与各工艺参数的关系,包括:
使所述离子束流和所述离子束入射角度固定不变,改变所述离子束能量,记录用不同离子束能量进行刻蚀所得到的刻蚀速率,得到离子束能量与刻蚀速率关系;
使所述离子束能量和所述离子束入射角度固定不变,改变所述离子束流,记录用不同离子束流进行刻蚀所得到的刻蚀速率,得到离子束流与刻蚀速率关系;
使所述离子束能量和所述离子束流固定不变,改变所述离子束入射角度,记录用不同离子束入射角度进行刻蚀所得到的刻蚀速率,得到离子束入射角度与刻蚀速率关系;
相应的,所述根据刻蚀速率与各工艺参数的关系,确定待训练模型,包括:
根据所述离子束能量与刻蚀速率关系、所述离子束流与刻蚀速率关系、所述离子束入射角度与刻蚀速率关系,确定待训练模型。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待训练模型为多元线性回归模型。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述多元线性回归模型为:
y=θ0+θ1x1+θ2x2+θ3x3+ε;
上式中,y表示刻蚀速率,θ0、θ1、θ2、θ3分别表示模型的4个参数,ε表示实验中的随机因素对y的影响,x1、x2、x3分别表示离子束能量、离子束流、离子束入射角度。
7.一种离子束刻蚀方法,其特征在于,包括:
确定目标刻蚀深度与目标刻蚀速率;
根据所述目标刻蚀深度与所述目标刻蚀速率,确定刻蚀时间;
使用权利要求1至6任一项所述的刻蚀速率控制方法,控制刻蚀过程中的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等;
对待刻蚀元件按照所述刻蚀时间、以所述实际刻蚀速率进行刻蚀。
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