[发明专利]具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件有效
| 申请号： | 201911119708.8 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111200022B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | C.莱恩德茨;R.埃斯特夫;A.毛德;A.迈泽;B.齐佩利乌斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件。提供了SiC器件和对应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及与在其他栅极沟槽的底部处的SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且被布置成行的屏蔽区，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。在又其他实施例中，SiC器件具有屏蔽区和非线性结，并且其中屏蔽区被布置成行，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 肖特基结 sic 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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